| 3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工 |
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| 引用本文： | 黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞. 3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工[J]. 半导体学报, 2015, 36(9): 094002-4. DOI: 10.1088/1674-4926/36/9/094002 |
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| 作者姓名： | 黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V，漏极电压为2.5V时，漏极电流为5A。
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| 关 键 词： | 4H-SiC MOSFET interface state |
| 收稿时间： | 2014-10-16 |
| 修稿时间： | 2015-04-19 |
Design and fabrication of a 3.3 kV 4H-SiC MOSFET |
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| Huang Runhu,Tao Yonghong,Bai Song,Chen Gang,Wang Ling,Liu Ao,Wei Neng,Li Yun and Zhao Zhifei. Design and fabrication of a 3.3 kV 4H-SiC MOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2015, 36(9): 094002-4. DOI: 10.1088/1674-4926/36/9/094002 |
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| Authors: | Huang Runhu Tao Yonghong Bai Song Chen Gang Wang Ling Liu Ao Wei Neng Li Yun Zhao Zhifei |
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| Affiliation: | 1. Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing 210016, China;2. Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC MOSFET interface state |
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