| 一氧化氮退火对高温氧化SiC/SiO2界面特性的影响研究 |
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| 引用本文： | 李妍月,邓小川,刘云峰,赵艳黎,李诚瞻,陈茜茜,张波.一氧化氮退火对高温氧化SiC/SiO2界面特性的影响研究[J].半导体学报,2015,36(9):094003-4. |
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| 作者姓名： | 李妍月 邓小川 刘云峰 赵艳黎 李诚瞻 陈茜茜 张波 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（重点项目） |
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| 摘 要： | 本文研究了高温（1300℃）氧化并在一氧化氮（NO）气体中进行氧化后退火方法对4H-SiC 金属-氧化物-半导体（MOS）电容的SiC/SiO2界面特性的影响，主要通过SiC MOS的电容-电压(C-V)特性详细讨论了NO退火时间和温度与SiO2/SiC界面特性的相互关系. 结果表明在NO气体中进行氧化后退火可明显降低界面态密度，并且界面态密度随着温度和时间的增加会进一步降低。 同时，与常规1200℃及以下氧化温度相比，1300℃下热生长的氧化层具有更低的界面态密度且显著缩短了氧化时间，节约了生产成本。
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| 关 键 词： | C-V characteristics 4H-SiC MOS post-oxidation annealing SiC/SiO2 |
| 修稿时间： | 5/7/2015 12:00:00 AM |
Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2 after high temperature oxidation |
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| Li Yanyue,Deng Xiaochuan,Liu Yunfeng,Zhao Yanli,Li Chengzhan,Chen Xixi and Zhang Bo.Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2 after high temperature oxidation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(9):094003-4. |
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| Authors: | Li Yanyue Deng Xiaochuan Liu Yunfeng Zhao Yanli Li Chengzhan Chen Xixi and Zhang Bo |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;2. Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu 610209, China;3. Power Electronics Business Unit, Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou 412001, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C-V characteristics 4H-SiC MOS post-oxidation annealing SiC/SiO2 |
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