| ZnS电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 魏雪松,钮应喜,吕海萍,殷春浩. ZnS电子结构的第一性原理研究[J]. 徐州工程学院学报, 2008, 23(4) |
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| 作者姓名： | 魏雪松 钮应喜 吕海萍 殷春浩 |
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| 作者单位： | 中国矿业大学,理学院,江苏,徐州,221008 |
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| 基金项目： | 教育部留学归国人员实验室基金 , 中国矿业大学校科研和校改项目 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法对ZnS的电子结构进行了研究.研究结果表明:理论预测ZnS是一种直接宽禁带半导体材料,直接带隙宽度为2.20eV,这个结果比实验值要小1.5eV左右;ZnS的下价带主要由Zn的3d电子贡献,上价带主要由S的3p电子形成,导带主要来源于Zn的4s电子和S的3p电子的贡献;在ZnS晶体中Zn原子失去电子,S原子得到电子,Zn—S键是共价键.
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| 关 键 词： | ZnS 电子结构 第一性原理 |
First Principles Analysis of the Electronic Structure of ZnS |
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| WEI Xue-song,NIU Ying-xi,LV Hai-ping,YING Chun-hao. First Principles Analysis of the Electronic Structure of ZnS[J]. Journal of Xuzhou Istitute of Technology, 2008, 23(4) |
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| Authors: | WEI Xue-song NIU Ying-xi LV Hai-ping YING Chun-hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnS electronic structure firs principles |
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