| 高可靠性P-LDMOS研究 |
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| 引用本文： | 孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼.高可靠性P-LDMOS研究[J].半导体学报,2004,25(12):1690-1694. |
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| 作者姓名： | 孙智林 孙伟锋 易扬波 陆生礼 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.
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| 关 键 词： | LDMOS 沟道 峰值电场 热载流子效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)12-1690-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月30日 |
Study of High Reliability P-LDMOS |
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| Sun Zhilin,Sun Weifeng,Yi Yangbo and Lu Shengli.Study of High Reliability P-LDMOS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1690-1694. |
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| Authors: | Sun Zhilin Sun Weifeng Yi Yangbo and Lu Shengli |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDMOS channel peak electric field hot carrier effects |
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