| 通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究 |
| |
| 引用本文： | 肖德元 徐少华. 通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究[J]. 红外与毫米波学报, 1992, 11(2): 149-152 |
| |
| 作者姓名： | 肖德元 徐少华 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所 上海，200050，上海，200050，上海，200050 |
| |
| 摘 要： | 研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I.
|
| 关 键 词： | 扩散 光电子器件 锌 磷化锢 Zn |
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS OF DIFFUSION OF Zn INTO InP THROUGH InGaAsP |
| |
| Xiao Deyuan,Xu Shaohu,Guo Kangjin. THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS OF DIFFUSION OF Zn INTO InP THROUGH InGaAsP[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1992, 11(2): 149-152 |
| |
| Authors: | Xiao Deyuan Xu Shaohu Guo Kangjin |
| |
| Abstract: | Diffusion of Zn into InP, InGaAsP and InGaAsP/InP single heterostructureshas been studied. The depth of the diffusion front is found to be proportional to the squareroot of the diffusion time. For single heterostructures the junction depth is dependent onthe InGaAsP epilayer thickness x_0, i.e. x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I, which is very useful inthe fabrication of many electronic and optoelectronic devices where heterostructures areused and Zn diffusion is necessary. |
| |
| Keywords: | Zn diffusion two-boundary diffusion model optoelectronic devices |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
