| GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系 |
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| 引用本文： | 金世荣,徐仲英.GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):291-296. |
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| 作者姓名： | 金世荣 徐仲英 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家实验室 |
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| 摘 要： | 研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加，对实验结果作了讨论。
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| 关 键 词： | 激子线宽 声学声子散射 半导体 量子阱 |
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS |
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| Abstract: | Temperature dependence of exciton linewidths in GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs quantum wells with very narrow well widths was investigated.The increase of the acoustic phonon linear scattering coefficient was found with decreasing well width in low temperature range.The experimental results were discussed. |
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| Keywords: | exciton linewidth acoustic phonon scattering semiconductor quantum well |
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