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| 4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究 | |
| 作者姓名： | 陈海峰 过立新 商世广 |
| 作者单位： | 西安邮电学院电子工程学院,陕西西安710121 |
| 基金项目： | 陕西省教育厅专项科研基金（编号：1IJK0902）,西安市应用材料创新基金（编号：XA-AM-201012）,西安邮电学院青年教师科研基金f编号：ZL2010-19） |
| 摘 要： | 研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响,随着VD的增加,IGD曲线上升沿不变,而下降沿向右漂移,这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系：GMW=VDn,n=0．08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系,斜率为1．19。文中给出了相关的物理机制。 |
| 关 键 词： | 栅氧化层 漏电压 闽值电压 浅掺杂漏区 |
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