| DPN MOS绝缘栅氮处理技术 |
| |
| 引用本文： | 黄英,许志,KIM Sung Lak,ZHAO Richard,利定东. DPN MOS绝缘栅氮处理技术[J]. 半导体技术, 2004, 29(5): 29-30 |
| |
| 作者姓名： | 黄英 许志 KIM Sung Lak ZHAO Richard 利定东 |
| |
| 作者单位： | 应用材料中国公司,上海,201203;应用材料中国公司,上海,201203;应用材料中国公司,上海,201203;应用材料中国公司,上海,201203;应用材料中国公司,上海,201203 |
| |
| 摘 要： | 分析了90nm及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性,强调了等离子体氮处理技术在90nm及其以下技术中的必要性.介绍了应用材料公司DPN MOS绝缘栅氮处理技术,并出示了部分试验数据.
|
| 关 键 词： | 氮处理技术 栅氧化 应用材料 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)05-0029-02 |
DPN process for MOS gate dielectric treatment |
| |
| KIM Sung Lak,ZHAO Richard. DPN process for MOS gate dielectric treatment[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(5): 29-30 |
| |
| Authors: | KIM Sung Lak ZHAO Richard |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
