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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Si_(1-x)Ge_x合金的浅杂质光电导谱
作者姓名:
石晓红
陈忠辉
黄醒良
史国良
刘普霖
沈学础
作者单位:
上海微结构科学和技术高等研究中心红外物理国家重点实验室
摘 要:
在4.2—50K温度范围内研究了直拉法生长的富含Si的Si(1-x)Gex合金的浅杂质光电导谱,首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到p3/2价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋-轨道分裂带(p1/2价带)相联系折光电导过程,并由此确定了硼杂质的电离能.结果表明,低锗组分下,Si(1-x)Gex合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化.
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