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| Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱 | |
| 引用本文： | 石晓红,陈忠辉,黄醒良,史国良,刘普霖,沈学础.Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱[J].半导体学报,1995,16(8):632-635. |
| 作者姓名： | 石晓红 陈忠辉 黄醒良 史国良 刘普霖 沈学础 |
| 作者单位： | 上海微结构科学和技术高等研究中心红外物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化． |
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