首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

基于动态栅极电阻的SiC MOSFET主动并联均流方法北大核心CSCD
作者姓名:张瑜  田鸿昌  文阳
作者单位:1.西安思源学院工学院710038;2.陕西半导体先导技术中心有限公司710065;3.西安理工大学自动化与信息工程学院710048;
基金项目:国家重点研发计划(2020YFB0407800);陕西省自然科学基础研究计划(2022JQ-360);西安思源学院2021年度校基金项目(XASYQN-B2101)。
摘    要:随着当今时代电力电子技术的发展,SiC MOSFET在高频、高温、高压以及大电流等场合中得到广泛应用,然而,由多管并联所导致的不均流问题成为了当下SiC MOSFET模块广泛应用中的一大阻碍。针对这一问题,文中提出一种基于动态栅电阻的SiC MOSFET模块并联均流方法,其主要原理是通过利用SiC MOSFET开关瞬间漏极电流在源极寄生电感上感应出的电压来检测电流,并通过动态调节栅极驱动电阻来实现并联模块的电流同步。最后,通过利用多脉冲实验对文中所提出的均流策略的可行性及优势进行了实验验证。结果表明,动态栅极电压主动并联均流策略可以有效改善并联模块间电流均流问题。

关 键 词:SiC MOSFET  并联均流  栅极驱动  主动调控
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号