| 摘 要： | 为研究硅对镉胁迫下烟草光合作用的影响,以云烟87为试验材料,以CdCl_2·2.5H_2O为镉源,K_2SiO_3为硅源,用KNO_3和HNO_3消除因添加K_2Si O_3而带来营养液pH和K+升高的影响,设置5个处理的水培试验:对照(CK)、0.05 mmol·L~(-1)Cd~(2+)(Cd_(0.05))、0.10 mmol·L~(-1)Cd~(2+)(Cd_(0.10))、0.05 mmol·L~(-1)Cd~(2+)+1.00 mmol·L~(-1)SiO_2(Cd_(0.05)+Si)、0.10 mmol·L~(-1)Cd~(2+)+1.00 mmol·L~(-1)SiO_2(Cd_(0.10)+Si)。结果表明,Cd_(0.05)和Cd0.10处理能明显降低烟株的高度,减少烟株的叶面积和生物量,净光合作用速率分别较CK下降52.02%和73.75%,差异极显著。硅可缓解镉胁迫对烟草的毒害作用,与Cd_(0.05)和Cd_(0.10)处理比较,Cd_(0.05)+Si和Cd_(0.10)+Si处理的气孔导度分别升高259.90%和13.29%,叶绿素含量分别增加43.47%和92.33%,净光合速率分别提高99.90%和72.78%。施硅能提高镉胁迫下烟草的表观量子效率和羧化效率。相关分析表明,烟草净光合作用速率与叶绿体中的镉含量存在显著负相关,而施硅能降低烟草叶绿体中的镉含量,这是硅提高镉胁迫下烟草光合作用的重要原因之一。
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