ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究

以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:反应室压强和射频功率对淀积速率的影响具有高度显著性,各参数对刻蚀速率的影响程度依次为反应室压强射频功率衬底温度,并讨论了所选参数对淀积速率的影响机理。