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| 内置驱动的砷化镓大功率终端开关芯片设计与实现 | |
| 引用本文： | 徐光,艾萱,陈新宇,杨磊.内置驱动的砷化镓大功率终端开关芯片设计与实现[J].通讯世界,2016(14):290-291. |
| 作者姓名： | 徐光 艾萱 陈新宇 杨磊 |
| 作者单位： | 南京国博电子有限公司,南京,210016 |
| 摘 要： | 介绍一种适用于多种制式无线终端产品的砷化镓单刀三掷射频开关芯片，主要用于收发支路的信道切换。芯片主要由单刀三掷开关和内置驱动电路组成，具有插损低、隔离度高、功率容量大以及功耗低等优点，可提供插损0.5dB@1.9GHz，0.85dB@5.8GHz，隔离度大于28dB@1.9GHz，20dB@5.8GHz，1dB压缩点大于38dBm，可应用于绝大多数移动通信终端设备中。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 终端开关芯片 内置驱动 |
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