| 内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性 |
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| 引用本文： | 曾宇昕,刘伟,杨富华,徐萍,章昊,边历峰,谭平恒,郑厚植,曾一平. 内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 238-242 |
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| 作者姓名： | 曾宇昕 刘伟 杨富华 徐萍 章昊 边历峰 谭平恒 郑厚植 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,100083,北京;中国科学院半导体研究所新材料部,100083,北京 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.
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| 关 键 词： | InAs量子点 光致发光谱 调制掺杂 场效应晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0238-05 |
| 修稿时间： | 2004-11-01 |
Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors |
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| Zeng Yuxin,Liu Wei,Yang Fuhua,Xu Ping,Zhang Hao,Bian Lifeng,Tan Pingheng,Zheng Houzhi,Zeng Yiping. Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 238-242 |
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| Authors: | Zeng Yuxin Liu Wei Yang Fuhua Xu Ping Zhang Hao Bian Lifeng Tan Pingheng Zheng Houzhi Zeng Yiping |
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