| 掺杂SnS薄膜的制备及电学性能 |
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| 引用本文： | 郭余英,史伟民,魏光普,邱永华,夏义本.掺杂SnS薄膜的制备及电学性能[J].功能材料与器件学报,2007,13(6):651-654. |
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| 作者姓名： | 郭余英 史伟民 魏光普 邱永华 夏义本 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072 |
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| 基金项目： | 上海市科学技术委员会专项基金重点项目
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AM基金
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上海市科委资助项目
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上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 硫化锡（SnS）具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度，又无毒性，因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值。本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜，掺杂源有Sb、Sb：O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物。对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压（Ⅰ—Ⅴ）特性等进行了表征，并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值（Gphoto／Gdark）。结果表明较有效的掺杂源是Sb，Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级，Gphoto／Gdark增加约一倍。同时，研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响，表明Sb的最佳掺入量约为1．3wt％～1．5wt％。
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| 关 键 词： | 硫化锡 太阳电池 掺杂 真空蒸发 电阻率 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)06-0651-04 |
| 修稿时间： | 2006年10月25 |
Electrical properties of doped SnS thin films prepared by vacuum evaporation |
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| GUO Yu-ying,SHI Wei-min,WEI Guang-pu,QIU Yong-hua,XIA Yi-ben.Electrical properties of doped SnS thin films prepared by vacuum evaporation[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(6):651-654. |
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| Authors: | GUO Yu-ying SHI Wei-min WEI Guang-pu QIU Yong-hua XIA Yi-ben |
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