| 宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应 |
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| 引用本文： | 冯耀兰,魏同立. 宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应[J]. 固体电子学研究与进展, 2001, 21(2): 157-163 |
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| 作者姓名： | 冯耀兰 魏同立 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目! (批准号 :6 9736 0 2 0 ) |
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| 摘 要： | 在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区 ( 2 7～ 30 0℃ ) MOSFET基本特性深入研究的基础上 ,进一步研究了宽温区 MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明 ,由于高温下晶格散射加剧 ,使表面纵向电场对载流子迁移率的影响减弱 ,使小尺寸 MOSFET横向电场引起的载流子饱和速度下降
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| 关 键 词： | 宽温区 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 迁移率 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)02-0157-07 |
| 修稿时间： | 1999-09-10 |
The Unconstant Surface Mobility Effect of MOSFET in the Wide Temperature Range |
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| Abstract: | In this paper, the unconstant surface mobility effect of MOSFET in the wide temperature range from 27℃ to 300℃ is deeply studied on the base of investigation of the high temperature models of fundamental physical parameters in silicon and the fundamental characteristics of the MOSFET. The theoretical and experimental results indicate that because the lattice scatter increase significantly at high temperature, the effect of vertical electrical field on the surface carrier mobility and the carrier′s saturated velocity caused by the lateral electrical field will decrease. |
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| Keywords: | wide temperature range MOSFET mobility |
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