4GHz低噪声GaAsFET放大器的研制

本文介绍已用于卫星通信地面接收小站,取代常温参放作为前置低噪声放大器的4GHz低噪声AaAsFET放大器的研制情况。文中分析FET放大器的噪声模型;阐明FET放大器的噪声与频率及温度的关系;提供放大器电路的设计与调整方法;最后给出由两级FET组成的放大器的实测性能:增益G>20dB,平坦带宽B>500MHz,整机噪声温度Ter≤150K(含输入波导隔离转换及接收机后级的影响),增益波动△G<±0.5dB,增益斜率△G/△f≤±0.2d B/50MHz,群时延τ_(P-P)≤0.4ns/任意50MHz,1dB增益压缩点的输出功率P_(out)=+4dBm,三次交调产物与载波比I/G≤55dB,工作环境温度t=-40℃～+50℃。