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峰值电流控制模式微等离子体氧化电源研究
引用本文:贲洪奇,金祖敏,郝燕玲.峰值电流控制模式微等离子体氧化电源研究[J].电力电子技术,2004,38(2):59-61.
作者姓名:贲洪奇  金祖敏  郝燕玲
作者单位:1. 哈尔滨工程大学,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001
3. 哈尔滨工程大学,黑龙江,哈尔滨,150001
摘    要:针对微等离子体氧化技术的特点,利用IGBT和峰值电流控制模式设计了一种高频大功率微等离子体氧化电源,它可以克服目前普遍使用的晶闸管整流式电源的缺陷,并能满足微等离子体氧化技术对电源的要求。

关 键 词:电源/微等离子体氧化  峰值电流  斜坡补偿
文章编号:1000-100X(2004)02-0059-03
修稿时间:2003年1月14日

Study of the Peak Current Mode controlled Micro-plasma Oxidation Supply
BEN Hong-qi,JIN Zu-min,HAO Yan-ling.Study of the Peak Current Mode controlled Micro-plasma Oxidation Supply[J].Power Electronics,2004,38(2):59-61.
Authors:BEN Hong-qi    JIN Zu-min  HAO Yan-ling
Affiliation:BEN Hong-qi1,2,JIN Zu-min2,HAO Yan-ling1
Abstract:Aimed at the shortcomings of the micro-plasma oxidation technique, a high frequency power micro-plasma oxidation supply based on IGBT and peak-current control mode is designed. It can overcome the limitation existing at con-ventional thyristor rectifier supply,and also meet the requirements of the micro-plasma oxidation to its power supply.
Keywords:power supply/micro-plasma oxidation  peak-current  slop compensation
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