| 热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型 |
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| 引用本文： | 刘红侠 郝跃. 热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 1998, 25(2): 152-154,159 |
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| 作者姓名： | 刘红侠 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所 |
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| 摘 要： | 分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。
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| 关 键 词： | 超薄栅氧化层 碰撞电离 击穿机理 模型 半导体 |
Hole breakdown theories of thermal grown super thin gate oxides and the impact ionization model |
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| Liu Hongxia Hao Yue. Hole breakdown theories of thermal grown super thin gate oxides and the impact ionization model[J]. Journal of Xidian University, 1998, 25(2): 152-154,159 |
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| Authors: | Liu Hongxia Hao Yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | super thin gate oxides impact ionization breakdown theories models defects |
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