| Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器 |
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| 引用本文： | 李兴教,王宁章,鲍军波,宁广蓉,陈涛,徐静平,陈振贤,邹雪城,LI Shao-ping.Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器[J].压电与声光,2002,24(6):440-444. |
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| 作者姓名： | 李兴教 王宁章 鲍军波 宁广蓉 陈涛 徐静平 陈振贤 邹雪城 LI Shao-ping |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,电子系,武汉,430074
2. Advanced Recording Technology Laboratory,Seagate Technology,MN55435,U.S.A |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59972010)。 |
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| 摘 要： | 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。
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| 关 键 词： | Au／BIT／PZT／BIT／p－Si（100） 存储器 铁电薄膜 电位降 内建电压 金属／铁电薄膜／半导体 结构 |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)06-0440-05 |
| 修稿时间： | 2002年5月9日 |
The Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) Memory |
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| LI Shao-ping.The Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) Memory[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2002,24(6):440-444. |
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| Authors: | LI Shao-ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) |
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