真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响 |
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引用本文: | 季振国,向因,王龙成,芮祥新,上田裕清.真空蒸发沉积VOPc薄膜及磁场对薄膜结构与性能的影响[J].真空科学与技术,2003,23(4):275-277,281. |
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作者姓名: | 季振国 向因 王龙成 芮祥新 上田裕清 |
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作者单位: | [1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]日本神户大学工学部日本国神户滩区六甲657—8501 |
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摘 要: | 用真空蒸发制备了酞菁氧钒(VOPc)薄膜,并在磁场中进行了热处理。用X光电子能谱、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、原子力显微镜等手段对制备的薄膜进行了表征。结果 表明沉积的酞菁氧钒薄膜为a-型,成分接近酞菁氧钒的分子式。制备的薄膜在磁场中进行了热处理,发现磁场使酞菁氧钒薄膜性质发生改变:UV-VIS吸收谱Q带发生红移;XRD谱图衍射峰强度明显增强,峰位略有变化;原子力显微镜(AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。以上结果说明磁场的存在使得VOPc分子在热处理过程中发生了定向的排列。
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关 键 词: | 酞菁氧钒 磁场 定向排列 |
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