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| H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究 | |
| 作者姓名： | 臧侃 于迎辉 秦志辉 曹更玉 |
| 作者单位： | 中国科学院武汉物理与数学研究所;中国科学院研究生院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.10804121) |
| 摘 要： | 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸... |
| 关 键 词： | H Si(111)-7×7 局域电子态密度(LDOS) 单分子振动谱 扫描隧道显微镜(STM) |
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