| 铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究 |
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| 引用本文： | 徐慢,夏冬林,杨晟,赵修建.铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究[J].武汉理工大学学报,2006,28(5):8-10. |
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| 作者姓名： | 徐慢 夏冬林 杨晟 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 武汉理工大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜。研究了不同的热处理条件对a-Si薄膜微观结构、表面形貌的影响，通过XRD、Raman,SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征。结果表明：铝膜的厚度为1μm时，在450℃下退火10min,薄膜样品开始向poly-Si薄膜转变，并且随着退火温度的升高和退火时间的增加，晶化程度加强。
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| 关 键 词： | 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 |
| 文章编号： | 1671-4431(2006)05-0008-03 |
| 修稿时间： | 2006年1月3日 |
Preparation and Microstructure Analyses of Poly-Si Thin Films by Aluminum-induced Crystallization |
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| XU Man,XIA Dong-lin,YANG Sheng,ZHAO Xiu-jian.Preparation and Microstructure Analyses of Poly-Si Thin Films by Aluminum-induced Crystallization[J].Journal of Wuhan University of Technology,2006,28(5):8-10. |
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| Authors: | XU Man XIA Dong-lin YANG Sheng ZHAO Xiu-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum-induced crystallization amorphous silicon thin films polycrystalline silicon thin films |
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