| 质子SEL影响因素分析 |
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| 引用本文： | 汪俊,师谦,邓文基. 质子SEL影响因素分析[J]. 电子质量, 2008, 0(7) |
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| 作者姓名： | 汪俊 师谦 邓文基 |
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| 作者单位： | 华南理工大学微电子所,广东,广州,510640;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610;华南理工大学微电子所,广东,广州,510640 |
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| 摘 要： | 主要对质子单粒子闩锁(SEL)的影响因素进行了分析,首先介绍了质子SEL原理,然后对电路质子SEL有重要影响的四个影响因素-封装、新材料的应用、质子能量和质子入射方向进行了详细分析。分析结果表明,要研究最坏情况下地球辐射带中质子SEL,需要在较高环境温度情况下(一般取125℃),使用能量大于400MeV的质子在斜入射和垂直入射时对SEL进行同时研究。
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| 关 键 词： | 单粒子闩锁 闩锁横截面 线能量传输 |
Analysis of Influential Factors in proton SEL |
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| Wang Jun,Shi Qian,Deng Wen-ji. Analysis of Influential Factors in proton SEL[J]. Electronics Quality, 2008, 0(7) |
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| Authors: | Wang Jun Shi Qian Deng Wen-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Single-event latchup latchup cross section linear energy transfer |
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