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原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究
引用本文:吕惠宾,戴守愚,陈正豪,周岳亮,金奎娟,程波林,何萌,郭海中,刘立峰,黄延红,杨国桢.原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究[J].功能材料,2004,35(Z1):485-488.
作者姓名:吕惠宾  戴守愚  陈正豪  周岳亮  金奎娟  程波林  何萌  郭海中  刘立峰  黄延红  杨国桢
作者单位:吕惠宾(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);戴守愚(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);陈正豪(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);周岳亮(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);金奎娟(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);程波林(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);何萌(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);郭海中(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);刘立峰(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);黄延红(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080);杨国桢(中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080)
基金项目:国家基金委重点基金资助项目(10334070);国家973专项资助项目(TG1998061412)
摘    要:采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.

关 键 词:氧化物  p-n结  外延生长  正磁电阻
文章编号:1001-9731(2004)增刊-0485-04
修稿时间:2004年6月4日

Fabrication and characterization of atomic-scale controlled oxide p-n junctions
Abstract:
Keywords:
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