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| 采用双栅砷化镓FET的2～18GHz单片分布放大器 | |
| 作者姓名： | W.凯南 于金芝 |
| 摘 要： | 本文叙述了一种2—18GHz单片分布放大器,其增益为6db,增益平坦度为±0.5db,VSWR(电压驻波比)小于2:0:1。测得的噪声系数低于7.5db,功率输出大于17dbm。为了在设计的频带上得到最大增益,该放大器用双栅砷化镓FET(场效应晶体管)代替单栅FET。另外还介绍级联放大器的特性。 |
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