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| Si-Si_(0.7)Ge_(0.3)-Si结构的电阻特性 | |
| 摘 要： | Si-Si_(0.7)Ge_(0.3)-Si结构在激光的照射下,电阻值会随激光照射点位置的改变而改变.通过实验测量获得激光扫描Si-Si_(0.7)Ge_(0.3)-Si结构样品表面的二维数据分布图,并对水平方向与垂直方向进行分析,得到的电阻灵敏度最高为8.59 MΩ/mm.当激光在器件表面上的扫描线偏离X轴时,灵敏度会逐渐降低为7.72、3.98和1.50 MΩ/mm.研究表明,作为一种新型的位移传感器,Si-Si_(0.7)Ge_(0.3)-Si结构的电阻—位置关系曲线具有灵敏度高和线性关系好的特点. |
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