基于化学气相沉积法的纳米二硫化钼研究进展

纳米二硫化钼(MoS_2)是一种典型的过渡金属硫化物材料,因具有层状二维结构,成为新型纳米材料的研究热点。本文对化学气相沉积法(CVD)制备单层二硫化钼结构进行介绍,综述了纳米二硫化钼的生长机理、合成纳米二硫化钼光电性质与层数的关系,并对比了化学气相法和剥离法生成的二硫化钼场效应管光电性质与层数的关系,阐述了单层二硫化钼场效应管的结构和电学特性。最后,对纳米二硫化钼的应用领域与研究趋势进行了展望。