| 铁电存储器的研究进展 |
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| 引用本文： | 付承菊,郭冬云.铁电存储器的研究进展[J].微纳电子技术,2006,43(9):414-419. |
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| 作者姓名： | 付承菊 郭冬云 |
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| 作者单位： | 1. 武汉理工大学,材料科学与工程学院,武汉,430070
2. 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金;武汉理工大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。
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| 关 键 词： | 铁电存储器 铁电随机存取存储器 铁电场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)09-0414-06 |
| 收稿时间： | 2006-04-01 |
| 修稿时间： | 2006年4月1日 |
Research Progress of Ferroelectric Memory |
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| FU Cheng-ju,GUO Dong-yun.Research Progress of Ferroelectric Memory[J].Micronanoelectronic Technology,2006,43(9):414-419. |
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| Authors: | FU Cheng-ju GUO Dong-yun |
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| Abstract: | The basic principles of information storage were introduced.The research progress of ferroelectric memory(ferroelectric random access memory and ferroelectric field effect transistor),the problems and the domestic developing status in this field were discussed.And the technology development of ferroelectric memory was expected. |
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| Keywords: | ferroelectric memory FRAM FFET |
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