| InN材料及器件的最新研究进展 |
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| 引用本文： | 丁少锋,范广涵,李述体,郑树文,陈琨.InN材料及器件的最新研究进展[J].材料导报,2007,21(6):16-20. |
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| 作者姓名： | 丁少锋 范广涵 李述体 郑树文 陈琨 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省自然科学基金，广东省科技攻关计划，广东省广州市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.
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| 关 键 词： | 特性 应用 进展 |
Research Progress in InN-based Semiconductor Material and Device |
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| DING Shaofeng,FAN Guanghan,LI Shuti,ZHENG Shuwen,CHEN Kun.Research Progress in InN-based Semiconductor Material and Device[J].Materials Review,2007,21(6):16-20. |
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| Authors: | DING Shaofeng FAN Guanghan LI Shuti ZHENG Shuwen CHEN Kun |
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| Affiliation: | Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN |
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