| Mg:In:LiNbO3晶体波导基片光损伤性能研究 |
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| 引用本文： | 徐悟生,许士文,王锐,徐玉恒.Mg:In:LiNbO3晶体波导基片光损伤性能研究[J].硅酸盐学报,2003,31(1):5-8. |
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| 作者姓名： | 徐悟生 许士文 王锐 徐玉恒 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨工业大学光电信息中心,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，黑龙江省自然科学基金，G19990330，2001AA313040，A01-03，，， |
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| 摘 要： | 在LiNbO3中掺入3％MgO和1％In2O3(摩尔分数，下同)，采用Czochralski法生长了3％Mg：2％In：LiNbO3晶体。极化后，对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法，测试了晶体在488．0nm波长下的抗光损伤能力，结果表明：Mg：In：LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上。通过Li空位模型，研究了Mg：In：LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片，并采用m—线法测试了y切型波导基片在632．8nm波长下的光损伤阈值，Mg：In：LiNbO3；光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了2个数量级。
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| 关 键 词： | Mg：In：LiNb03晶体 波导基片 光损伤性能 研究 掺杂铝酸锂晶体 引上法晶体生长 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)02-0005-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月8日 |
INVESTIGATION ON PHOTO-DAMAGE PROPERTIES OF Mg: In: LiNbO3 WAVEGUIDE SUBSTRATE |
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