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射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜
引用本文:刘世建,徐重阳,曾祥斌,赵伯芳,王长安,史济群. 射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜[J]. 压电与声光, 2001, 23(4)
作者姓名:刘世建  徐重阳  曾祥斌  赵伯芳  王长安  史济群
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系
基金项目:国防科技电子预研基金资助项目 ( 99J2 .2 .4JW.0 5 12 )
摘    要:采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。

关 键 词:射频磁控溅射法  BST铁电薄膜  相对介电常数-温度曲线  居里温度

(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3 Ferroelectric Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
LIU Shi-jian,XU Chong-yang,ZENG Xiang-bin,ZHAO Bo-fang,WANG Chang-an,SHI Ji-qun. (Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3 Ferroelectric Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2001, 23(4)
Authors:LIU Shi-jian  XU Chong-yang  ZENG Xiang-bin  ZHAO Bo-fang  WANG Chang-an  SHI Ji-qun
Abstract:
Keywords:RF magnetron sputtering  BST ferroelectric thin film  comparative permittivity-temperature curve  Curie temperature
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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