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| 铍注入锑化铟快速热退火的研究 | |
| 引用本文： | 张廷庆,刘家璐.铍注入锑化铟快速热退火的研究[J].半导体学报,1994,15(1):35-39. |
| 作者姓名： | 张廷庆 刘家璐 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 |
| 摘 要： | 借助ＳＩＭＳ、ＡＥＳ、ＲＢＳ和ＴＥＭ对Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的快速热退火特性进行了深入的研究．Ｂｅ注入能量为１００ｋｅＶ，注人剂量为５×１０１４ｃｍ－２．快速热退火温度范围为３００—５００℃，退火时间为３０—６０秒．结果表明，快速退火后，Ｂｅ注入分布剖面的内侧不存在再分布，但峰值浓度有不同程度的降低，表面存在Ｂｅ的外扩散．３５０℃退火，Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的晶体损伤基本消除，ＩｎＳｂ表层不存在化学配比的偏离．退火温度超过３５０℃，ＩｎＳｂ表层发生热分解，产生Ｓｂ的耗尽，形成由Ｉｎ、Ｓｂ及其氧化物组成的复杂结构． |
| 关 键 词： | 锑化铟 离子注入 铍 退火 |
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