| C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计 |
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| 引用本文： | 王德宏,刘志军,刘文杰,高学邦,吴洪江. C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计[J]. 半导体技术, 2008, 33(10) |
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| 作者姓名： | 王德宏 刘志军 刘文杰 高学邦 吴洪江 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5～6 GHz,噪声系数小于1.2 Db,增益大于24 Db,输入输出驻波比小于1.5:1,增益平坦度△Gp≤±0.1 Db,1 Db压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 Ma.电路最终测试结果与设计结果吻合.
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| 关 键 词： | C波段 低噪声放大器 单片微波集成电路 |
Design of C Band GaAs MMIC Low Noise Amplifier |
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| Wang Dehong,Liu Zhijun,Liu Wenjie,Gao Xuebang,Wu Hongjiang. Design of C Band GaAs MMIC Low Noise Amplifier[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(10) |
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| Authors: | Wang Dehong Liu Zhijun Liu Wenjie Gao Xuebang Wu Hongjiang |
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| Affiliation: | Wang Dehong,Liu Zhijun,Liu Wenjie,Gao Xuebang,Wu Hongjiang (The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C band low noise amplifier MMIC |
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