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| 薄膜太阳电池系列讲座(14) 硅基薄膜太阳电池(六) | |
| 引用本文： | 张晓丹,赵颖,熊绍珍.薄膜太阳电池系列讲座(14) 硅基薄膜太阳电池(六)[J].太阳能,2012(13):17-19. |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电信息技术科学教育部重点实验室;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 |
| 摘 要： | 下面分别对a-SiC:H、a-SiO:H和a-SiGe:H三种合金材料进行介绍。(1)非晶硅碳(a-SiC:H)合金硅烷(SiH4)或乙硅烷(Si2H6)和甲烷(CH4)或乙烯(C2H4)等气源在等离子放电环境中,将发生化学反应生成非晶硅碳合金(a-SiC:H)。它主要通过掺杂获得p型的a-SiC:H,用作硅基薄膜叠层太阳电池的顶电池窗口层。根据使用气源性质的不同,在相同沉积条件下获得膜中的C含量与在气体中的含C气源流量比并不相同,反映了含C气源分解反应的 |
| 关 键 词： | 带隙 薄膜太阳电池 沉积条件 吸收系数 硅基合金 气源 合金薄膜 流量比 叠层太阳电池 窗口层 |
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