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| 硅基薄膜太阳电池(三) | |
| 引用本文： | 张晓丹,赵颖,熊绍珍.硅基薄膜太阳电池(三)[J].太阳能,2012(7). |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电信息技术科学教育部重点实验室;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 |
| 摘 要： | 4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制备出性能优良的器件.自从1969年Chitick等人发明了用辉光放电法(GD)制备氢化非晶硅(a-Si:H)15],以非晶硅作有源层的器件才成为可能.硅烷的辉光放电是硅烷(SiH4)在一定氢气(H2)稀释下通过射频(RF)激发产生等离子体的辉光放电,将硅烷分解制备成非晶硅.它有以下最简单的反应表达式: |
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