| Refinement of an Analytical Approximation of the Surface Potential in MOSFETs |
| |
| 引用本文： | Lu Jingxue,Huang Fengyi,Wang Zhigong,Wu Wengang. Refinement of an Analytical Approximation of the Surface Potential in MOSFETs[J]. 半导体学报, 2006, 27(7): 1155-1158 |
| |
| 作者姓名： | Lu Jingxue Huang Fengyi Wang Zhigong Wu Wengang |
| |
| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所，南京 210096;北京大学微电子学研究院，北京 100871 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目 , 东南大学校科研和教改项目 , 广东省博士启动基金 |
| |
| 摘 要： | 通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象.
|
| 关 键 词： | MOSFET 表面势 解析近似 器件建模 MOSFET surface potential analytical approximation device modeling MOSFETs 表面势 近似方法 改进 Surface Potential Approximation Analytical spikes error curve associated traditional conventional treatment computation efficiency comparable numerical simulations method yields substrate |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1155-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-05 |
| 修稿时间： | 2006-03-25 |
Refinement of an Analytical Approximation of the Surface Potential in MOSFETs |
| |
| Lu Jingxue,Huang Fengyi,Wang Zhigong and Wu Wengang. Refinement of an Analytical Approximation of the Surface Potential in MOSFETs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(7): 1155-1158 |
| |
| Authors: | Lu Jingxue Huang Fengyi Wang Zhigong Wu Wengang |
| |
| Affiliation: | Institute of RF & OEIC,Southeast University,Nanjing 210096,China;Institute of RF & OEIC,Southeast University,Nanjing 210096,China;Institute of RF & OEIC,Southeast University,Nanjing 210096,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOSFET surface potential analytical approximation device modeling |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
