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| 辉光放电a-Si_(1-x)Ge_x:H的光电特性 | |
| 作者姓名： | 赵建国 熊绍珍 徐温元 |
| 作者单位： | 南开大学(赵建国，熊绍珍)，南开大学(徐温元) |
| 基金项目： | 中科院科学基金,KIB_(84)B_(0227) |
| 摘 要： | 改变 GDa-Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜中 Ge 的含量,可以获得1.8—0.9eV 的带隙能量范围。对于x>0.3的薄膜,准费米能级的位置接近带隙的中央,电导激活能随 x 值的增加而线性地减小。光敏感性(σ_p/σ_d)在 x 从0变化到1的整个范围内下降4个数量级。实验表明,选择合适的衬底温度(T_s=250～300℃)以及较低的射频功率可以得到质量较好的 a—Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜。 |
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