| 过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT |
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| 引用本文： | 姚飞,成步文,薛春来,王启明.过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT[J].半导体学报,2005,26(z1):117-120. |
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| 作者姓名： | 姚飞 成步文 薛春来 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.
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| 关 键 词： | 过腐蚀 自对准 离子注入 SiGe HBT |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0117-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月16日 |
Over Wet-Etching Self-Aligned Ion Implantation Doping Technology on Fabricating SiGe/Si HBT |
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| Yao Fei,Cheng Buwen,Xue Chunlai,Wang Qiming.Over Wet-Etching Self-Aligned Ion Implantation Doping Technology on Fabricating SiGe/Si HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):117-120. |
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| Authors: | Yao Fei Cheng Buwen Xue Chunlai Wang Qiming |
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