| 磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究 |
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| 引用本文： | 李世涛,乔学亮,陈建国,王洪水,贾芳.磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究[J].光电工程,2005,32(11):20-24. |
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| 作者姓名： | 李世涛 乔学亮 陈建国 王洪水 贾芳 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 华中科技大学校科研和教改项目;国防预研基金 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3:SnO2=1:1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空位浓度变化而影响ITO薄膜折射率n;fO2对ITO靶材表面的溅射阀值和对Ar 散射而改变溅射速率。衬底表面粗糙度对ITO薄膜的折射率测量准确性有较大影响。PAr为0.8Pa,fO2为2.4sccm,薄膜厚度为241.5nm时,nmin=1.97,最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9?/□,电阻率为8.8×10-4?·cm。AFM分析表明薄膜表面针刺很少,表面平整(RMS=3.04nm)。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氧流量 ITO薄膜 室温 增透 |
| 文章编号： | 1003-501X(2005)11-0020-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-30 |
| 修稿时间： | 2005-08-24 |
Study on the preparation and properties of antireflective ITO thin films by magnetron sputtering |
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| LI Shi-tao,QIAO Xue-liang,CHEN Jian-guo,WANG Hong-shui,JIA Fang.Study on the preparation and properties of antireflective ITO thin films by magnetron sputtering[J].Opto-Electronic Engineering,2005,32(11):20-24. |
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| Authors: | LI Shi-tao QIAO Xue-liang CHEN Jian-guo WANG Hong-shui JIA Fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering Oxygen flux ITO films Room temperature Antireflective |
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