掺入InN生长低缺陷InSb单晶

用切克劳斯基法,掺入InN可以生长出低缺陷InSb单晶。通过腐蚀观察对掺入InN的InSb晶体进行了研究,并与未掺杂的晶体做了对比分析。当掺杂量超过1.5×10~(17)厘米~(-3)时,发现穿透缺陷和碟形缺陷显著减少。已用这种晶体制备了高质量的光导红外探测器。