| GaAs集成电路辐照效应试验研究 |
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| 引用本文： | 王文君,田国平.GaAs集成电路辐照效应试验研究[J].半导体技术,2010,35(8):803-805. |
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| 作者姓名： | 王文君 田国平 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,对GaAs集成电路的耐辐照性进行了探讨,为建立中等规模耐辐射GaAs IC的电路设计、工艺制造和测试技术平台奠定了基础.
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| 关 键 词： | 砷化镓 集成电路 抗辐射 辐射效应 试验 |
Research of GaAs IC Radiation Effect |
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| Wang Wenjun,Tian Guoping.Research of GaAs IC Radiation Effect[J].Semiconductor Technology,2010,35(8):803-805. |
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| Authors: | Wang Wenjun Tian Guoping |
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| Affiliation: | Wang Wenjun,Tian Guoping(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs integrated circuit anti-radiation radiation effect experimentation |
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