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| 1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长 | |
| 引用本文： | 魏全香,王鹏飞,任正伟,贺振宏.1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长[J].材料科学与工程学报,2014(6):816-820. |
| 作者姓名： | 魏全香 王鹏飞 任正伟 贺振宏 |
| 作者单位： | 山西大学物理电子工程学院;中国科学院半导体研究所; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(90921015) |
| 摘 要： | 1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。 |
| 关 键 词： | 异变 InAs量子点 分子束外延 发光波长 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |