| 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 |
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| 引用本文： | 于磊,曾一平,潘量,孔梅影,李晋闽,李灵霄,周宏伟.衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响[J].半导体学报,2000,21(7):652-656. |
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| 作者姓名： | 于磊 曾一平 潘量 孔梅影 李晋闽 李灵霄 周宏伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所新材料部!北京100083(于磊，曾一平，潘量，孔梅影，李晋闽，李灵霄)，中 (周宏伟) |
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| 摘 要： | 研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的/比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x=0.3)
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| 关 键 词： | In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD) 自组织生长 衬底温度 生长速率 |
Influence of Growth Rate and Substrate Temperature on Self-Organized InxGa1-xAs/GaAs Quantum Dots Grown by MBE |
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| YU Lei,ZENG Yi\|ping,PAN Liang,KONG Mei\|ying,LI Jin\|min,LI Ling\|xiao and ZHOU Hong\|wei.Influence of Growth Rate and Substrate Temperature on Self-Organized InxGa1-xAs/GaAs Quantum Dots Grown by MBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7):652-656. |
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| Authors: | YU Lei ZENG Yi\|ping PAN Liang KONG Mei\|ying LI Jin\|min LI Ling\|xiao and ZHOU Hong\|wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In_xGa_(1-x)As/GaAs QD self\|organized growth substrate temperature growth rate 0652 05 |
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