| 异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型 |
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| 作者姓名： | 栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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教育部跨世纪优秀人才培养计划
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国防科技预研项目
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陕西省西安市科技计划
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教育部重点科技研究资助项目 |
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| 摘 要： | 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移.扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.
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| 关 键 词： | 异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)04-0746-05 |
| 修稿时间： | 2007-10-08 |
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