| 以Al2L3／AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO—TTFT透过率的研究 |
| |
| 引用本文： | 袁广杰,徐征,张福俊,王勇,许洪华,孙小斌.以Al2L3／AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO—TTFT透过率的研究[J].功能材料,2007,38(2):186-189. |
| |
| 作者姓名： | 袁广杰 徐征 张福俊 王勇 许洪华 孙小斌 |
| |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（10374001,60576016）;国家重点基础研究发展计划资助项目（2003CB314707）;国家自然科学基金重点资助项目（10434030）. |
| |
| 摘 要： | 采用射频反应磁控溅射的方法，以ITO（铟锡氧化物）玻璃为衬底，在Al2O3／AN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜，并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极，通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响，得出以Al2O3／AlN为复合缓冲层薄膜晶体管，在400℃温度下退火处理后，ZnO有源层有较好的c-axis（002）择优取向，器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上，从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明。
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 反应磁控溅射 透射率 透明薄膜晶体管 |
| 文章编号： | 1001-9731(2007)02-0186-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-28 |
Study on transmittance of ZnO based on transparent thin-film transistorwith complex insulative buffer layer of Al2O3/AIN |
| |
| YUAN Guang-cai, XU Zheng, ZHANG Fu-jun, WANG Yong, XU Hong-hua,SUN Xiao-bin.Study on transmittance of ZnO based on transparent thin-film transistorwith complex insulative buffer layer of Al2O3/AIN[J].Journal of Functional Materials,2007,38(2):186-189. |
| |
| Authors: | YUAN Guang-cai XU Zheng ZHANG Fu-jun WANG Yong XU Hong-hua SUN Xiao-bin |
| |
| Affiliation: | Institute of Optoelectronics Technology, Beijing Jiaotong University, Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education,Beijing 100044,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO thin film rf-reactive magnetron sputtering optical transmittance transparent thin-film transistor |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
