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| 分子电镀法制备232Th靶 | |
| 引用本文： | 杨春莉,杨金玲,吴俊德,苏树新.分子电镀法制备232Th靶[J].中国原子能科学研究院年报,2009(1):257-258. |
| 作者姓名： | 杨春莉 杨金玲 吴俊德 苏树新 |
| 摘 要： | 为满足测定232Th（a，2n）234。U反应截面的需求，需在2μm和8μm厚的Al衬底上制备232Th的薄靶，要求靶厚100-200μg／cm2，不均匀性小于5％。为此，本工作采用分子电镀法，研究并选择了232Th的最佳电镀条件，制备了均匀、牢固的232Th靶，并给出了该靶精确的质量厚度值，满足了试验要求。 |
| 关 键 词： | 电镀法 制备 分子 不均匀性 反应截面 质量厚度 试验要求 |
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