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| 中科院电工研究所率先研制出19.4T国产Bi带内插全超导磁体 | |
| 摘 要： | <正>日前,电工研究所王秋良研究组采用自主研发的高温磁体技术,在国内首次将国产Bi2223内插磁体在15T背场条件下的中心磁场提高到了19.4T@4.2K,有效地解决了国产Bi带导线临界拉伸应力小的问题,将国产Bi带材的应用范围扩展至19T以上的高磁场。王秋良研究组在国家自然基金的资助下率先采用国产Bi系带材研制高场内插磁体。研究人员采用特殊工艺 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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