| TFSOI/CMOS ESD研究 |
| |
| 引用本文： | 刘文安,罗来华,赵文魁,沈文正. TFSOI/CMOS ESD研究[J]. 微电子学与计算机, 2000, 17(6): 36-39 |
| |
| 作者姓名： | 刘文安 罗来华 赵文魁 沈文正 |
| |
| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
| |
| 摘 要： | 文章讨论了TFSOI／CMOS中ESD电路与常见体硅ESD电路的主要区别，详细分析了ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗2000V静电的ESD保护电路，指出了进一步提高TFSOI／CMOS ESD抗静电能力的途径。
|
| 关 键 词： | ESD 栅控二极管 TFSOI CMOS 保护电路 |
| 修稿时间： | 2000-01-25 |
Study of TFSOI/CMOS ESD |
| |
| LIU Wen-an,LUO Lai-hua,ZHAO Wen-kui,SHENG Wen-zheng. Study of TFSOI/CMOS ESD[J]. Microelectronics & Computer, 2000, 17(6): 36-39 |
| |
| Authors: | LIU Wen-an LUO Lai-hua ZHAO Wen-kui SHENG Wen-zheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ESD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
