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| n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性 | |
| 引用本文： | 陈浩,邓金祥,陈光华,刘钧锴,田凌.n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):61-63. |
| 作者姓名： | 陈浩 邓金祥 陈光华 刘钧锴 田凌 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 2. 北京工业大学材料学院,北京,100022 3. 兰州大学物理学院,兰州,730000 |
| 摘 要： | 用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5～6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论. |
| 关 键 词： | n-BN/p-Si薄膜异质结 伏安特性 离子注入 退火温度 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)增-0061-03 |
| 修稿时间： | 2005年9月1日 |
I-V Characteristics of n-BN/p-Si Film Heterojunction |
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| Chen Hao,Deng Jinxiang,Chen Guanghua,Liu Junkai,Tian Ling.I-V Characteristics of n-BN/p-Si Film Heterojunction[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):61-63. | |
| Authors: | Chen Hao Deng Jinxiang Chen Guanghua Liu Junkai Tian Ling |
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